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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 66W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低品质因数 RON × Qg
- 超低栅极电荷
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高脉冲电流能力
- 引脚无铅电镀；符合 RoHS 标准；采用无卤模塑料
- 符合 JEDEC 工业级应用要求
应用领域
- 硬开关和软开关开关电源拓扑
- 用于灯镇流器的不连续导通模式（DCM）功率因数校正（PFC）
- 用于灯镇流器、等离子显示器（PDP）和液晶电视（LCD TV）的脉宽调制（PWM）