IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD30N08S2-22
- 商品编号
- C536755
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 符合汽车级AEC Q101标准
- 湿气敏感度等级1级，最高峰值回流温度260°C
- 工作温度达175°C
- 环保封装（无铅）
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试