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IPD048N06L3 G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD048N06L3 G

OptiMOs 3功率晶体管

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证
商品型号
IPD048N06L3 G
商品编号
C536716
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))3.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)37nC@4.5V
输入电容(Ciss)6.3nF
反向传输电容(Crss)47pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.1nF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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