IPD048N06L3 G
OptiMOs 3功率晶体管
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- 描述
- 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD048N06L3 G
- 商品编号
- C536716
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个2500个/圆盘
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