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IPD100N04S4-02实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD100N04S4-02

1个N沟道 耐压:40V 电流:100A

商品型号
IPD100N04S4-02
商品编号
C536729
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V,100A
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)118nC@10V
输入电容(Ciss)9.43nF@25V
反向传输电容(Crss)127pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • N沟道 - 增强型
  • 通过AEC认证
  • 最高260 °C峰值回流温度下达到MSL1等级
  • 工作温度达175 °C
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF