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IPD050N10N5
N沟道、常电平OptiMOs 5功率晶体管，适用于高频开关和同步整流，具有低导通电阻和出色的栅极电荷与导通电阻乘积
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD050N10N5
- 商品编号
- C536718
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 175°C工作温度
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品