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IPD053N06N
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD053N06N
- 商品编号
- C536719
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4904克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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