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IPC100N04S5-1R9
1个N沟道 耐压:40V
- 描述
- 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平-AEC Q101认证。MSL1可达260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPC100N04S5-1R9
- 商品编号
- C536693
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 760pF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 常规电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试