IPC302N08N3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
- N沟道增强型
- 动态特性表征请参考IPB025N08N3 G的数据手册
- 根据失效目录，目视检查的可接收质量水平（AQL）为0.65
- 根据MIL - STD 883C标准，为静电放电敏感器件
- 芯片键合：焊接或胶粘
- 背面金属化：镍钒（NiV）体系
- 正面金属化：铝铜（AlCu）体系
- 钝化层：氮化物（仅在边缘结构上）
- 功率MOS晶体管芯片