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场效应管(MOSFET)
IPD033N06N
引脚图
此图展示了型号为 IPD033N06N 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 IPD033N06N 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
IPD033N06N
IPD033N06N
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IPD033N06N
商品编号
C536710
商品封装
TO-252-3
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
90A
导通电阻(RDS(on))
3.3mΩ@10V,90A
耗散功率(Pd)
107W
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))
3.3V
栅极电荷量(Qg)
38nC
输入电容(Ciss)
3.4nF@30V
反向传输电容(Crss)
56pF@30V
工作温度
-55℃~+175℃
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