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IPD042P03L3 G
1个P沟道 耐压:30V
- 描述
- 特性：单P沟道（逻辑电平）。 增强模式。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 工作温度：175℃。 无铅，符合RoHS标准。 无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：负载开关。 高速开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD042P03L3 G
- 商品编号
- C536714
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.603克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V；4.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 单P沟道（逻辑电平）
- 增强型
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- 工作温度达175 °C
- 无铅；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准，无卤素
应用领域
- 负载开关-高速开关