- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- N沟道增强型
- 根据失效目录,目视检查的可接收质量水平(AQL)为0.65
- 根据MIL - STD 883C标准,属于静电放电敏感器件
- 芯片键合:焊接或胶粘
- 背面金属化:镍钒(NiV)体系
- 正面金属化:铝硅(AlSi)体系
- 钝化处理:氮化物(仅在边缘结构上)