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IPC100N04S5L-1R1实物图
  • IPC100N04S5L-1R1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPC100N04S5L-1R1

IPC100N04S5L-1R1

商品型号
IPC100N04S5L-1R1
商品编号
C536695
商品封装
TDSON-8-EP(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))1.1mΩ@4.5V,50A
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
输入电容(Ciss)8.25nF@25V
反向传输电容(Crss)120pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
  • N沟道 - 增强型 - 逻辑电平
  • 通过AEC Q101认证
  • 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
  • 工作温度达175°C
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF