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IPB80N04S4L-04
IPB80N04S4L-04
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB80N04S4L-04
- 商品编号
- C536662
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 符合AEC标准
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度可达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试