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IPB80N08S2-07
IPB80N08S2-07
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB80N08S2-07
- 商品编号
- C536675
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.26nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下湿气敏感度等级1(MSL1)
- 工作温度可达175°C
- 绿色封装(无铅)
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试