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IPB70N10S3L-12
N沟道增强型汽车级功率晶体管
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB70N10S3L-12
- 商品编号
- C536648
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 潮湿敏感度等级1级,最高峰值回流温度260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试