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IPB65R660CFDA
1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
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- 描述
- CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。650V CoolMOS CFDA系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R660CFDA
- 商品编号
- C536645
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V,3.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 543pF@100V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件兼具快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还具备极快且耐用的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的耐用性相结合，使得该器件尤其适用于谐振开关应用，可提高其可靠性、效率，减轻重量并降低温度。
商品特性
- 超快体二极管
- 极高的换相耐用性
- 极低的FOM（Rdson*Qg和Eoss）带来极低的损耗
- 易于使用/驱动
- 通过AEC Q101认证
- 环保封装（符合RoHS标准），无铅镀层，模塑料无卤
应用领域
- 650V CoolMOS CFDA专为开关应用而设计。