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IPB65R190C7实物图
  • IPB65R190C7商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPB65R190C7

1个N沟道 耐压:650V

品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IPB65R190C7
商品编号
C536641
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,5.7A
耗散功率(Pd)72W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.15nF@400V
反向传输电容(Crss)17pF@400V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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