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IPB65R190CFDA
耐压:650V 电流:17.5A
- 描述
- CoolMOs TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS TM CFDA 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时还提供超快且可靠的体二极管
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R190CFDA
- 商品编号
- C536642
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,7.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 336pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |