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IPB65R095C7
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高效率、降低栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R095C7
- 商品编号
- C536633
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 128W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 763pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。 CoolMOS™ C7 系列融合了领先的超结 MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且具有出色的可靠性。
商品特性
- 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg,实现更高的效率
- 同类最佳的 RDS(on)/封装
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 按照 JEDEC(J - STD20 和 JESD22)标准通过工业级应用认证
应用领域
- 用于例如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能等领域的 PFC 级和硬开关 PWM 级。