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IPB60R180P7
1个N沟道 耐压:600V 电流:18A
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- 描述
- CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。该产品结合了快速开关SJ MOSFET的优点与出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB60R180P7
- 商品编号
- C536619
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.642克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.28mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.081nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时的出色耐用性以及优异的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于出色的换流耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关损耗和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性优异，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1欧姆平方毫米）使RDS(on)/封装产品优于竞品
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
- PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级-电脑主机-适配器-LCD和PDP电视-照明-服务器-电信-不间断电源(UPS)