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IPB60R040C7

600V CoolMOS C7功率晶体管

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描述
CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首个RDS(on)*A低于10 mΩ*mm²的技术。
商品型号
IPB60R040C7
商品编号
C536595
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.9487克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)73A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V,24.9A
耗散功率(Pd)227W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)107nC@400V
输入电容(Ciss)4.34nF@400V
反向传输电容(Crss)1.64nF@400V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF