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IPB180P04P4L-02
1个P沟道 耐压:40V 电流:180A
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- 描述
- 特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 用于反接电池保护
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB180P04P4L-02
- 商品编号
- C536578
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 18.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- P沟道 - 逻辑电平 - 增强型
- 通过AEC认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1
- 工作温度可达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
- 用于电池反接保护