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IPB180N08S4-02
1个N沟道 耐压:80V 电流:180A
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- 描述
- 特性：N沟道。增强模式。AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试。超低导通电阻RDS(on)
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB180N08S4-02
- 商品编号
- C536574
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 277W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.55nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 354pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |