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IPB144N12N3 G
1个N沟道 耐压:120V
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- 描述
- 特性：N沟道，标准电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻。175℃工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB144N12N3 G
- 商品编号
- C536557
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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