IPB120N06S4-03
OptiMOs T2功率晶体管
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- 描述
- 特性:N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1最高可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB120N06S4-03
- 商品编号
- C536547
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.696667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@120uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.22nF |
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