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IPB117N20NFD
1个N沟道 耐压:200V 电流:84A
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- 描述
- 特性：N 沟道，正常电平。 快速二极管 (FD)，降低 Qm。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅，符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB117N20NFD
- 商品编号
- C536540
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.7mΩ@10V,84A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.65nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道，常电平
- 具备低反向恢复电荷Qrr的快速二极管（FD）
- 针对硬换向耐用性进行优化
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 按照IEC61249 - 2 - 21标准无卤
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