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IPB090N06N3 G
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 特性：适用于同步整流、驱动器和DC/DC开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 雪崩额定。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB090N06N3 G
- 商品编号
- C536524
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9256克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于同步整流、驱动器和直流/直流开关电源
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- N沟道,正常电平
- 雪崩额定
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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