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IPB073N15N5
150V 114A
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- 描述
- 特性：出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB073N15N5
- 商品编号
- C536520
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 114A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V,57A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |