IPB033N10N5LF
1个N沟道 耐压:100V 电流:108A
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- 描述
- 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB033N10N5LF
- 商品编号
- C536498
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与最先进的易用性相结合,这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 适用于热插拔和电子保险丝应用
- 极低导通电阻RDS(ON)
- 宽安全工作区(SOA)
- N沟道,正常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
应用领域
- 用于LED照明的硬开关和软开关反激式拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 音频设备
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费类应用中的功率因数校正(PFC)级
- 太阳能
