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IPB033N10N5LF

1个N沟道 耐压:100V 电流:108A

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描述
特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
商品型号
IPB033N10N5LF
商品编号
C536498
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)108A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)179W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.1V
栅极电荷量(Qg)102nC
输入电容(Ciss)460pF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与最先进的易用性相结合,这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 适用于热插拔和电子保险丝应用
  • 极低导通电阻RDS(ON)
  • 宽安全工作区(SOA)
  • N沟道,正常电平
  • 100%雪崩测试
  • 无铅镀层;符合RoHS标准
  • 针对目标应用通过JEDEC认证
  • 符合IEC61249-2-21的无卤要求

应用领域

  • 用于LED照明的硬开关和软开关反激式拓扑
  • 低功率充电器和适配器
  • 音频设备
  • 辅助电源
  • 工业电源
  • 消费类应用中的功率因数校正(PFC)级
  • 太阳能

数据手册PDF