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IPB049N08N5
OptiMos 5功率晶体管，80V
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀，符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB049N08N5
- 商品编号
- C536511
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.77nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |