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IPB026N06N
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 特性：针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，正常电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB026N06N
- 商品编号
- C536490
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.125nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |