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IPB032N10N5
100V功率晶体管
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB032N10N5
- 商品编号
- C536497
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 166A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,83A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.97nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 829pF |