IPB031NE7N3 G
1个N沟道 耐压:75V 电流:100A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB031NE7N3 G
- 商品编号
- C536496
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 针对同步整流优化的技术
- 非常适合高频开关和 DC/DC 转换器
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道,常态电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 按照 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证
- 按照 IEC61249-2-21 标准为无卤产品