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IPB024N10N5
1个N沟道 耐压:100V 电流:217A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB024N10N5
- 商品编号
- C536487
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.707667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 217A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- N 沟道,常电平
- 经过 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
应用领域
-充电器中使用的反激式拓扑-适配器中使用的反激式拓扑-照明应用中使用的反激式拓扑