温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB011N04N G
IPB011N04N G
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB011N04N G
- 商品编号
- C536472
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 用于或门和不间断电源的MOSFET
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- N沟道
- 正常电平
- 超低导通电阻RDS(on)
- 雪崩额定
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤