温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB017N06N3 G
IPB017N06N3 G
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB017N06N3 G
- 商品编号
- C536477
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 275nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 针对DC/DC转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- N沟道,常电平
- 100%经过雪崩测试
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤