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IPB011N04L G
1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB011N04L G
- 商品编号
- C536471
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 346nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 用于或门和不间断电源的MOSFET
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- N沟道
- 逻辑电平
- 超低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素