IPAN80R360P7
IPAN80R360P7
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPAN80R360P7
- 商品编号
- C536454
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,5.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@500V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ P7 是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 由于极低的品质因数（FOM，即 RDS(on) 乘以 Qg 以及 RDS(on) 乘以 Eoss），损耗极低
- 出色的热性能
- 集成 ESD 保护二极管
- 低开关损耗（Eoss）
- 产品符合 JEDEC 标准进行验证
应用领域
- 充电器中使用的反激式拓扑
- 适配器中使用的反激式拓扑
- 照明应用中使用的反激式拓扑