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IPAN80R280P7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPAN80R280P7

IPAN80R280P7

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商品型号
IPAN80R280P7
商品编号
C536453
商品封装
TO-220FP​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V,7.2A
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF@500V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

最新的 800V CoolMOS™ P7 系列为 800V 超结技术树立了新标杆,将一流的性能与最先进的易用性相结合,这得益于英飞凌超过 18 年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
  • 一流的 DPAK 封装 RDS(on)
  • 一流的 3V V(GS)th 和最小的 ±0.5V V(GS)th 变化
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护
  • 完全符合 JEDEC 工业应用标准
  • 全面优化的产品组合

应用领域

  • 用于 LED 照明的硬开关和软开关反激式拓扑
  • 低功率充电器和适配器
  • 音频设备
  • 辅助电源
  • 工业电源
  • 消费类应用中的 PFC 级
  • 太阳能

数据手册PDF