IPAN70R750P7S
IPAN70R750P7S
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPAN70R750P7S
- 商品编号
- C536451
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 306pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。这项技术符合最高效率标准，并支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
-由于极低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss,损耗极低-出色的热性能-集成ESD保护二极管-低开关损耗(Eoss)-产品符合JEDEC标准进行验证
应用领域
-充电器中使用的反激拓扑-适配器中使用的反激拓扑-照明应用中使用的反激拓扑