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IPA70R360P7S
1个N沟道 耐压:700V 电流:7.5A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA70R360P7S
- 商品编号
- C536413
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 26.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 517pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。
- 导通电阻RDS(on)极低。
- N沟道，常电平。
- 经过100%雪崩测试。
- 无铅镀层；符合RoHS标准。
- 针对目标应用通过JEDEC认证。
- 符合IEC61249-2-21标准，无卤。