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IPA80R650CEXKSA2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA80R650CEXKSA2

1个N沟道 耐压:800V 电流:5.1A

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描述
CoolMOS CE是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术。高电压能力将安全性、性能和耐用性相结合,可实现最高效率水平的稳定设计。800V CoolMOS CE提供多种封装选择,有助于降低系统成本并实现更高功率密度设计。
商品型号
IPA80R650CEXKSA2
商品编号
C536427
商品封装
TO-220FP​
包装方式
管装
商品毛重
2.75克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)5.1A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V,5.1A
耗散功率(Pd)33W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.9V
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-40℃~+150℃

数据手册PDF