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IPAN60R125PFD7S实物图
  • IPAN60R125PFD7S商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPAN60R125PFD7S

IPAN60R125PFD7S

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商品型号
IPAN60R125PFD7S
商品编号
C536437
商品封装
TO-220FP​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@10V
耗散功率(Pd)32W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.503nF
反向传输电容(Crss)520pF
工作温度-40℃~+150℃
配置-
类型-
输出电容(Coss)-

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计导入过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。

商品特性

  • 由于极低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss,损耗极低
  • 开关损耗Eoss低,热性能出色
  • 快速体二极管
  • 具有广泛的RDS(on)范围和多种封装选择

应用领域

  • 用于高密度充电器的零电压开关(ZVS)拓扑
  • 适配器
  • 照明
  • 电机驱动应用

数据手册PDF