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IPAN60R180P7S
600V CoolMOS P7功率晶体管
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- 描述
- CoolMOs TM 第七代平台是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOsTM P7 系列是 CoolMOS TM P6 系列的换代产品。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPAN60R180P7S
- 商品编号
- C536438
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.081nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 381pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的后续产品。它结合了快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及优异的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相耐用性,适用于硬开关和软开关(功率因数校正(PFC)和 LLC谐振电路)
- 显著降低开关损耗和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性优异,人体模型(HBM)静电放电抗扰度 >2kV
- 低导通电阻(RDS(on))×面积(A)(低于1欧姆×平方毫米),与竞品相比,具有更优的导通电阻(RDS(on))/封装产品
- 产品符合JEDEC标准进行验证
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级、硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关级,例如用于个人电脑主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)。