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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 478pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的950V CoolMOS P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss；降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的3V V(GS)th，最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 一流的CoolMOS品质和可靠性
- 全面优化的产品组合
应用领域
- LED照明反激式拓扑-低功率充电器和适配器-智能电表-辅助电源-工业电源-消费和太阳能应用中的PFC级