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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 712pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS 是一项针对高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS P7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列兼具快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时具备出色的性价比和一流的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 由于品质因数（FOM）极低，损耗极小：导通状态下漏源电阻（RDS(on)）乘以栅极电荷（Qg），以及导通状态下漏源电阻（RDS(on)）乘以输出存储能量（Eoss）
- 出色的热性能
- 集成 ESD 保护二极管
- 低开关损耗（Eoss）
- 产品符合 JEDEC 标准进行验证
应用领域
- 反激式拓扑，例如用于充电器、适配器、照明应用等。