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IPA80R600P7XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA80R600P7XKSA1

1个N沟道 耐压:800V 电流:8A

商品型号
IPA80R600P7XKSA1
商品编号
C536426
商品封装
TO-220FP-3​
包装方式
管装
商品毛重
3.31克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)28W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)570pF@500V
反向传输电容(Crss)11pF@500V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆,将一流性能与先进的易用性相结合,这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 一流的品质因数RDS(on) * Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
  • 一流的DPAK封装RDS(on)
  • 一流的V(GS)th为3V,且V(GS)th变化最小,仅±0.5V
  • 集成齐纳二极管ESD保护
  • 完全符合JEDEC工业应用标准
  • 产品组合全面优化

应用领域

  • 用于LED照明的硬开关和软开关反激式拓扑
  • 低功率充电器和适配器
  • 音频
  • 辅助电源
  • 工业电源
  • 消费类应用中的PFC级
  • 太阳能

数据手册PDF