IPA65R125C7
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA65R125C7
- 商品编号
- C536397
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,8.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 579pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积（品质因数 FOM）
- 极低的漏源导通电阻
- N 沟道，正常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC¹⁾ 认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 扩大源极互连，提高焊点可靠性