- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CoolMOSTM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOSTM C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流创新技术。该系列器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 通过 JEDEC 认证,无铅电镀,无卤
应用领域
-适配器