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IPA65R280E6
1个N沟道 耐压:650V 电流:13.8A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA65R280E6
- 商品编号
- C536406
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ E6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该系列器件兼具快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，且不牺牲易用性。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更高效、更紧凑、更轻便且更低温。
商品特性
- 由于具备极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,因此损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 通过 JEDEC 认证,无铅电镀,无卤素
应用领域
-适配器